MOSFET你不了解的后端工艺(BGBM)

MOSFET正面金属化工艺（FSM）
 

正面金属化工艺是MOSFET晶圆减薄前的一个关键工艺，由于MOSFET具备高开关切换速度，低输入阻抗与低功率耗损之特性，必须承受大电流，因此在工艺上，必须使用铜夹焊接 (Clip Bond)加大电流路径来取代金属打线焊接(Wire Bond)，藉此降低导线电阻与RDS(on)(导通阻抗)。

而正面金属化工艺的目的，就是藉由溅镀或化镀方式形成UBM，接着做铜夹焊接 (Clip Bond)，以降低导线电阻。 

在使用夹焊(Clip Bond)时，由于铝垫上方必须要有凸块下金属层(Under Bump Metallurgy, 下称UBM)，来作为铝垫和凸块(Bump)之间的焊接表面(Solder Surface)。UBM的组成金属元素，在溅镀和化镀上各有不同，溅镀使用钛/镍钒/银(Ti/NiV/Ag)；化镀则是使用镍金/镍钯金(NiAu/NiPdAu)。

◆ 化学镀

客户的晶圆在完成入站检验后 (IQC)，按照客户指示之种类及厚度，进入化学镀机沉积金属。首先，藉由化学镀机内事先定义好的程序，自动进行去油清洁后 (Degreasing)，对铝垫(Al Pad)表面进行微蚀刻 (Etching)；接着，进入两次的锌活化程序 (Zincation*2)：第一次锌活化后，进行锌微蚀刻，再进行第二次锌活化；最后，进行化学镀镍钯金的程序 (Ni / Pd / Au) 后，并出站检验 (OQC)。